小中大关于FIB的问题
我们做的是CVD生长的微米级陶瓷膜,要用TEM观察生长层和基底的界面结构,之前一直在用常规方法制备样品,对粘,包埋,粗磨,冲片,细磨,凹坑,减薄,此方面的经验已有不少,但由于gatan pips 691 减薄时不能精确定位,以及电压、束流、角度等参数变化的影响,最终不容易得到特别好的界面薄区,因此界面信息一直不理想。所以,想咨询一下,这种生长陶瓷膜的界面样品制备,FIB是不是更合适?因为本校没有,也未接触过,所以想请教高人,具体的问题如下:
1 进行FIB操作,对样品有什么特定要求,形状也是3mm吧,厚度有什么要求?是不是也像进行离子减薄前一样,需要细磨到30微米左右?
2 FIB减薄样品需注意的问题主要是什么?做常规界面TEM的朋友应该知道,整个过程是个耐心活儿,有一些小细节需要注意。不知道FIB需要注意哪些主要事项。
3 减薄的成功率怎么样?如果能精确定位,是不是进行FIB的试样通通都能够减成功?
4 国内哪些单位可以做,或者哪些单位的FIB用的比较多?
以上问题,请高人赐教,如果哪位朋友直接能够负责操作,能站内留下联系方式。谢谢了