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标题:[未解决]【转载】【求助】请问关于膜去溶系统和冷焰的问题

  [未解决]本主题悬赏 可用分 10  
nmn[使用道具]
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发表于 2014-7-29 16:48 资料 个人空间 短消息  加为好友 

 小中大

【转载】【求助】请问关于膜去溶系统和冷焰的问题

各位好！我的液体样品想分析一下里面的各种金属的残留情况，不知道哪种配制的机器可以检测我的样品，有两个问题想请教一下，谢谢！
问题一：膜去溶系统对于ICP-MS来说是否是必须？作用是什么？如何替代？
问题二：冷焰条件指的是什么？作用是什么，不用的话能否进行检测？
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shuishui[使用道具]
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发表于 2014-7-29 16:49 资料 个人空间 短消息  加为好友 

 小中大
膜去溶系统主要是针对有机溶剂的吧
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teddy[使用道具]
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发表于 2014-7-29 16:49 资料 个人空间 短消息  加为好友 

 小中大
Q1： 膜去溶系统 (desolvating nebulizer system/membrane desolvation system/membrane desolvator) 近20万人民币，目前只有科研行业 MC-ICP-MS 进行高精度同位素比值测定时才配它。它通过一层加热膜，将气溶胶中的绝大部分溶剂水“脱掉”，只有溶质（待测离子）能通过，因此等离子体的负载(mass load)大大降低，等离子体能量用于电离溶质，而非溶剂水，所以灵敏度能显著提高。但膜去溶系统也有弊端，正是因为有一层膜，元素残留的记忆效应增加。

Q2：关于冷焰，版上谈论很多，我记不得在哪个帖子里详述了。冷焰只适合 基体简单的待测溶液，通常只用于 多晶硅、高纯试剂 这些行业。
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vbnm[使用道具]
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发表于 2014-7-29 16:50 资料 个人空间 短消息  加为好友 

 小中大
Q1：说明膜去溶系统不是必须配备的，而是选配，可以通过样品处理代替的；
Q2：如果方法中提到用冷焰的话，是否就是不可代替的，一定要用冷焰？
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艰苦奋斗[使用道具]
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发表于 2014-7-29 16:51 资料 个人空间 短消息  加为好友 

 小中大
我们有个ICP的方法需要找个有ICP-MS的单位检测金属离子指标，但是检测单位的ICP-MS没有膜去溶系统和冷焰，就是想问一下没有这两项功能能否进行检测？
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风往尘香[使用道具]
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发表于 2014-7-29 16:51 资料 个人空间 短消息  加为好友 

 小中大
直接说是什么样品，测哪些元素
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adg[使用道具]
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发表于 2014-7-29 16:52 资料 个人空间 短消息  加为好友 

 小中大
请说明您的样品类型、待测元素、待测元素大致含量。
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发表于 2014-7-29 16:52 资料 个人空间 短消息  加为好友 

 小中大
待测样品情况说明：35%的双氧水，检测常规金属离子指标，例如钾钠钙镁铅砷锡铁等，含量大概在1-100ppb的范围。
样品如何处理？ICP-MS的硬件配置等？谢谢
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happydream[使用道具]
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发表于 2014-7-29 16:53 资料 个人空间 短消息  加为好友 

 小中大
待测样品情况说明：35%的双氧水，检测常规金属离子指标，例如钾钠钙镁铅砷锡铁等，含量大概在1-100ppb的范围。
样品如何处理？ICP-MS的硬件配置等？谢谢
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iop[使用道具]
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 小中大
双氧水没有冷焰不好做  不需要膜去溶 半导体级双氧水分析，你见过哪个公司用膜去溶的啊！呵呵
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