小中大对于能量色散,以现在主流的检测器是硅检测器来讨论。这里不细分Si(Li)或者Si-PIN,SDD神马的。峰型展宽的原因主要来自于X光激发产生的电子空穴对数量的统计涨落,以及电路噪声。
X光子进入Si片后,产生电子空穴对的数量是一个也是有统计涨落的,如果你学过能带理论,应该很容易明白这一点。另外,产生的电子空穴对并不一定都会被检测到,晶体中的缺陷会捕获电子,电子输运过程中,还会与声子也就是晶格交换能量,还有热噪声的影响,导致检测到的电子空穴对也并不是每个同元素光子都一样。理论模型的计算表明,这种统计涨落影响大约在100eV左右,这也是未来Si检测器的分辨率极限。
X光子产生的电子空穴对数量很少的,产生一对电子空穴对最低需要能量1.12eV,这是Si的禁带宽度,但是事实上,由于上述几个因素的影响,以液氮制冷的Si(Li)来说,平均下来大约是3.8eV产生一对电子空穴对,电制冷的Si(Li)温度不能到-180℃,会略有区别,不过不影响我们这个问题的讨论。我们可以简单的估算一下,以FeKa为例,其特征能量为6400eV,大约可以产生6400/3.8 = 1684,这大约是2.7×10E(-16) 库伦的电量,这是一个非常微弱的信号,因此需要强大的放大电路。事实上Si检测器这里采用了两级放大的做法。从硅片收集的脉冲电流先经过FET放大,然后送到外面的前置放大器。
上述的计算电量是为了说明信号经过了很大倍数的放大,同样的电路的噪声也同样会被放大。目前电路噪声影响在几十eV左右。
综合起来说,能量色散产生的峰型,半峰宽在一百多eV左右。