小中大氧化峰电位还是它的半波电位?
在利用电化学方法研究有机光电材料方面,常受到一些原理问题方面的困扰,特别是这些方法对光电材料研究的出发点上,缺少专门的文献提供解释。现对这些问题进行罗列
RT
1.二茂铁标定参比电极,需要的是二茂铁的氧化峰电位还是它的半波电位?其半波电位是否更有参考意义?
2.在利用循环伏安(CV)计算有机物的LUMO,HOMO能级时,有的直接读取起始氧化(还原)电位,而有的是对氧化(还原)曲线最大变化值处做切线与横轴的交点来得到能级值,其结果就是后者方法得到的带宽比直接读取的值要大,那么哪一种更为可取?
3.利用CV法得到有机物能级的电化学依据又是什么?常取用第一圈得到的曲线,而多次扫描后曲线的形貌发生了较大的改变,这是否是施加电位后对材料产生了不可逆的破坏?
4.有的文献中报出了脉冲伏安法来测试计算带隙,是否更有参考价值?
5.在中性有机体系中测试材料的能级值,那么不同的支持电解质盐对材料的掺杂作用也是有差别的,有的材料只发生氧化而不能还原(即无法观察到n掺杂过程),那么又该如何计算带隙?