电分析

在电化学传感器中研究富集电位对峰电流的影响，这里的富集电位是不是就是开路电压，是不是通过循环伏安法的得到的？还有富集时间在哪设置的啊？

1.富集电位是不是就是开路电压？
富集电位是可以通过循环伏安法确定的，但是还要具体通过实验来研究富集电位到底多少才是最佳的。
2.富集电位是不是通过循环伏安法的得到的？
这个不一定，看你的具体研究是什么了，如果是检测金属离子的富集电位就是{半波电位—（0.2~0.5）}V。
3.富集时间在哪设置的啊？
富集时间在control→ stripping model里面设置，勾选溶出模式前面的复选框，然后再把富集时间和富集电位两个单选框勾选上，最后设置你的富集电位和富集时间就可以了。

我们的工作站跟你说的好像不一样，溶出法启用、沉积时通氮、沉积时搅拌这三个复选框是不是只选溶出时启用，沉积电位后面两个单选框：初始电、沉积电位选哪个，静置电位：初始电、静置电选哪个？沉积电位、沉积时间就是指富集电位、富集时间吗，静置电位需要设置吗？真的不太懂，刚做不久，还望赐教！

还想问一下哦，我看到有的文献是用差分脉冲法做的富集电位、富集时间对峰电流的影响，与循环伏安法做出的有区别吗？

富集过程在参数设置上面没什么区别，差分脉冲的灵敏度要高些吧，还有就是循环伏安法是一个循环，差分脉冲扫描的话只有一段。原来你用的循环伏安来扫描的啊，我都是见用线性扫描、差分脉冲、常规脉冲、方波这些扫描方式来进行扫描的。