小中大【求助】EIS用来分析相关的过程
在看光催化相关的论文时，EIS用来分析相关的过程。各文献一般都是差不多的描述和分析过程，但是我总是有疑问，以下图做个例子
1）高频是否代表铂片电阻？
实验方法是三电极，对电极是铂，参比是饱和甘汞，电解液是Na2SO4，添加一定的偏压下，在光照的情况下做EIS
一般作者认为实验中如果出现三个半圆，就是高频——Pt/电解液电阻；中频——charge transfer；低频——电解液扩散相关
看了下他们的参考文献基本都是参考的染料敏化电池的情况，不过染料敏化电池低频认为是I/I3-的电阻，而且他们用的对电极是涂在ITO上的Pt
这里我有疑问，Pt的电阻那么小，况且三电极中一般用铂片电极，是否会出现半圆呢？
比如电容器的EIS中，对电极也用铂片，电解液也是Na2SO4，不同的是没有偏压和光照，从来没有见过把高频的半圆归结为是Pt片的问题
2）波特图上的波峰是否和奈奎斯特图上的半圆一一对应？
奈奎斯特图中作者认为高频是Pt/电解液电阻，低频是工作电极/电解液charge transfer电阻
从波特图来看，有两个时间常数，但100-1000区间那个明显，低频那个不明显
文章根据s = 1/2 (pi f_peak)来计算光生电子的时间寿命，这里的f_peak用的是100-1000Hz的峰，也就是第一个峰
按照我的理解，奈奎斯特图的半圆和波特图的峰是对应的，也就是从高频往低频走，第一个半圆对应第一个峰，第二个半圆对应第二个峰
这样的话波特图上的第一个峰应该是Pt/电解液对应的峰呀？那么第二个峰才能用来计算光生电子的时间
还是我一直以来的理解是错误的？
3）按照我的理解：第一个半圆其实是在中频范围，代表charge transfer，第二个半圆是和电解液扩散相关
铂片电极上的反应时间应该非常快，表现不在EIS上
如果非要说第一个半圆和Pt有关，对照一下半圆对应的频率，都是1000Hz以下了，这应该算不上是高频了吧
不知道分析的对不对，希望大家能讨论一下
