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谈一下我的理解,我是做非晶硅的,不对之处,还请诸位指点!
楼主提到影响因素是正确的。
内建电场的存在使光生载流子发生定向移动,产生电流,其中整个I层都是在空间电荷区的,P、I层的厚度至关重要。
再者,电池作为电源是需要电荷的定向移动,因此各界面的势垒非常重要,一个重要的工作就是减小各个界面势垒。
此外,太阳光的充分利用肯定对光生载流子的浓度具有影响,因此各类减反膜、背电极的应用也是必须的;
当然,镭射的效果直接关系到电池的内阻,所以这也是我们关注的一部分。
不好意思,我是学理论出身,但是功底太浅,不对之处还请指点,此外,具体如何来达到上面提到的一些目的,也还需要各位的指点。