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标题: 【转载】【讨论】场发射的真空就这么牛？ [打印本页]

作者: 铃儿响叮当 时间: 2015-8-3 15:55 标题: 【转载】【讨论】场发射的真空就这么牛？

有朋友让我做几个样品，要求是先用电子束（最好是EDS模式）对一个点进行1分钟的大电流密度辐照，而后一般就会产生一个污染斑，而后倾转样品，使污染斑变成两个，测量二者间距和倾转角，可以得到样品的大致厚度。
问题是：俺们的2100F用EDS模式下打了两分钟压根也没见到污染斑，而他说LaB6的2000FX在EDS模式下，1分钟就轻松搞定。那么难道是场发射的真空太好了？楞没有表面污染？还是LaB6的电子束流密度其实远比FE要高的多？
多谢！

作者: 夜蓝星 时间: 2015-8-3 15:55

是样品太干净了吧？

作者: 铃儿响叮当 时间: 2015-8-3 15:55

双喷样品，看起来的确比较干净，可朋友说他看样品也没啥特殊处理啊。难道是样品放置于空气中的时间太短？

作者: ay123 时间: 2015-8-3 15:56

先用电子束（最好是EDS模式）对一个点进行1分钟的大电流密度辐照，而后一般就会产生一个污染斑，而后倾转样品，使污染斑变成两个，测量二者间距和倾转角，可以得到样品的大致厚度。
这样真的可以测量出样品的厚度吗？我以前试过2100F在EDS模式下是可以打出污染斑的。

作者: 铃儿响叮当 时间: 2015-8-3 16:49

不太熟悉，好像某本书里面有用这个方法的，也有用迹线法，但首先也要造污染点。
我们也是2100F，普通碳膜不用EDS模式也能造污染斑，可他的样品不知道为什么一点迹象都没有，是不是聚焦不对劲？

作者: small2011 时间: 2015-8-3 16:49

是样品太干净了吧？

作者: 铃儿响叮当 时间: 2015-8-3 16:50

EDS模式下束流密度可不弱

作者: 夜蓝星 时间: 2015-8-3 16:51

这是估算样品厚度的方法是有的。

作者: small2011 时间: 2015-8-3 16:51

小弟才疏學淺...不曉得那一位天才想出來的...
(或是有那一本書中有提到此法)
就我所知~試片厚度似乎不是用這麼粗糙的方式
去量測
回到問題...
如果你硬要打出痕跡~很簡單~把所有的aperture拿掉~
直接轟試片~
回某樓...
EDS mode的電子束是聚焦束~通常beam大小只有1~5 nm
一定比image mode還弱~

作者: 夜蓝星 时间: 2015-8-3 16:51

不同的测量方法有不同的精度和适用范围，使用时也需要知道一些必要的参数。很多时候只需要对厚度做粗略估算，不需要得到很精确的数值，或者其它方法需要的出参数无法得到。关于用污染斑的方法，可以参考David Williams的书第一版629页，或者第二版670页。拿掉所有光阑直接轰击是做Beam Shower方法，这样得不到污染斑，反而可能越轰越干净。EDS模式是聚焦束，会损失一部分束流，但是光斑很小，所以束流密度反而比普通模式大。

作者: 铃儿响叮当 时间: 2015-8-3 16:52

您觉得怎么不对了呢？朋友的老师还给出了具体的示意图呢，想来他老师也是电镜行里混迹多年，这点问题应该不会弄错。当然，精度可能的确不高，但他需要的数据也不需要这么精确。

作者: 铃儿响叮当 时间: 2015-8-3 16:56

嗯，同意楼上几位的说法，EDS mode的电子束流在局部可以很强的。

作者: 铃儿响叮当 时间: 2015-8-3 16:57 标题: 回复 #10 夜蓝星的帖子

好的，多谢老大，我去看看书，看看自己是不是哪里做的有问题。

作者: small2011 时间: 2015-8-3 16:57

beam shower是否越打越乾淨...可能要看試片而定~
小弟孤陋寡文了...不過書上似乎是在STEM mode下做的~
在EDS下~能有相同效果嗎?

作者: small2011 时间: 2015-8-3 16:58

小弟~孤陋寡文了~
不過書上使用此法~似乎是在STEM模式下~
好像不是在EDS模式下~
(不過此法~書上亦嫌粗糙了些...)

作者: 龙泉 时间: 2015-8-3 16:58 标题: 回复 #15 small2011 的帖子

STEM是什么模式，EDS又是什么模式？

作者: 铃儿响叮当 时间: 2015-8-3 16:59 标题: 回复 #14 small2011 的帖子

书上介绍的第一句说了，这是在老式的(S)TEM上常用的方式之一，介绍的最后也说到额外的污染会模糊化你刻意造出的污染斑。方法的用意应该就不是很精确的评价，不过就是简单判断一下。

作者: 铃儿响叮当 时间: 2015-8-3 16:59

书上并没有讲造污染斑的模式，用EDS大概是因为局域电流密度够大，或者EDS的束斑较小吧。

作者: small2011 时间: 2015-8-3 16:59

是沒錯~
不過照片是STEM的照片~~
這...就參考一下吧~

作者: nsdm 时间: 2015-8-3 17:00 标题: 回复 #19 small2011 的帖子

STEM 和 EDS 的光路模式是非常接近的。使用过STEM的都有这方面的经验，就是样品比在TEM下污染的要快的多。这是因为单位面积上的束流密度要大得多，所以用EDS模式来的到污染斑是对的。

作者: small2011 时间: 2015-8-3 17:01 标题: 回复 #20 nsdm 的帖子

不是很同意你所說的....
兩者有很大的差別~

作者: 夜蓝星 时间: 2015-8-3 17:01

至少在日本电子的电镜上STEM和EDS的光路很接近。所以做STEM之前TEM模式下的预对中要在EDS模式下进行。

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