4. 需要说明一下,正如前面说的
a 峰强度变化了吗? 这是判定样品结晶度好坏的标准,峰越尖锐,强度越高,证明结晶度越好
b 峰位置变化了吗? 峰位置是xrd 定性的依据,如果位置变化,可能是掺杂,也可能是样品新物相的出现,可以根据这个来判断晶面间距是否变化,我记得研究生面试的时候,有个老师就问我,xrd峰向小角度移动,晶面间距如何变化,判断的依据是什么?
c 峰的形状变化了吗? 我是做纳米材料的,很关心这个,一看峰变胖了,峰宽化了,马上就可以根据谢乐公式计算下,晶粒到底是尺寸变化了多少
5. xrd 是有检测限度的,如果峰不出现,不能证明该物质不存在,如果有峰,一定证明该物质是存在的,这个需要注意。例如负载型催化剂,如果新鲜催化剂上面就可以表征到活性负载相的峰,特别是低负载浓度时候,表明你的样品分散度不好,已经不是单层分散,达到了结晶的地步,效果一般不会太好。
6. xrd的标准卡片是有各个峰强度的,如果了解就会知道,早起的就是纸张的卡片,有三强峰的卡片索引,而且是三套,因为三强峰是变化的,不是固定的,也即同一个物相可能暴露的最多晶面是不固定的,上次有人提问,这里说明一下
7. xrd和TEM都可以表征粒径大小,但是是有区别的,xrd表征的是晶粒尺寸,TEM表征的是颗粒大小,所以TEM观察到的一般比XRD大
8. xrd是可以计算晶格常数,不过一般需要仪器状态很高,并且用标准物质标定过仪器。如果不是自己亲自长期做这些,一般获得的数据用来计算都只能是做个参考,发文章做个佐证还可以,否则就只能呵呵了。作者: 886爱 时间: 2015-11-15 12:17 标题: 【回复】
首先说一下吸附理论,最著名的当然是单层吸附Langmuir,多层BET理论,还有Freundlich吸附等温式。Kelvin提出的毛细凝聚,解释了介孔回滞环,BJH的中孔孔径分布,还有HK的微孔孔径分布,因此对应的就是BET比表面积,BJH中孔分布(后面会详细介绍BJH和DH),HK微孔分布等结果
2. 吸附等温线IUPAC的六种吸附等温线,辛勤老师书中已经介绍的很详细,我就不班门弄斧,不过需要说明的一点是,这是包括微孔,介孔,大孔的曲线,而回滞环吸附等温线只是针对介孔IV型吸附线的细分而言,微孔和大孔是不存在的,很多人把这两个搞混淆。这里直接放上来对比下
I 型等温线在较低的相对压力下吸附量迅速上升,达到一定相对压力后吸附出现饱和值,似于Langmuir 型吸附等温线。只有在非孔性或者大孔吸附剂上,该饱和值相当于在吸附剂表面上形成单分子层吸附,但这种情况很少见。大多数情况下,I 型等温线往往反映的是微孔吸附剂(分子筛、微孔活性炭)上的微孔填充现象,饱和吸附值等于微孔的填充体积。可逆的化学吸附也应该是这种吸附等温线。
II 型等温线反映非孔性或者大孔吸附剂上典型的物理吸附过程,这是BET 公式最常说明的对象。由于吸附质于表面存在较强的相互作用,在较低的相对压力下吸附量迅速上升,曲线上凸。等温线拐点通常出现于单层吸附附近,随相对压力的继续增加,多层吸附逐步形成,达到饱和蒸汽压时,吸附层无穷多,导致试验难以测定准确的极限平衡吸附值。
III 型等温线十分少见。等温线下凹,且没有拐点。吸附气体量随组分分压增加而上升。曲线下凹是因为吸附质分子间的相互作用比吸附质于吸附剂之间的强,第一层的吸附热比吸附质的液化热小,以致吸附初期吸附质较难于吸附,而随吸附过程的进行,吸附出现自加速现象,吸附层数也不受限制。BET公式 C 值小于2时,可以描述III 型等温线。
IV 型等温线与II 型等温线类似,但曲线后一段再次凸起,且中间段可能出现吸附回滞环,其对应的是多孔吸附剂出现毛细凝聚的体系。在中等的相对压力,由于毛细凝聚的发生IV 型等温线较II 型等温线上升得更快。中孔毛细凝聚填满后,如果吸附剂还有大孔径的孔或者吸附质分子相互作用强,可能继续吸附形成多分子层,吸附等温线继续上升。但在大多数情况下毛细凝聚结束后,出现一吸附终止平台,并不发生进一步的多分子层吸附。
V 型等温线与III 型等温线类似,但达到饱和蒸汽压时吸附层数有限,吸附量趋于一极限值。同时由于毛细凝聚地发生,在中等的相对压力等温线上升较快,并伴有回滞环。
VI 型等温线是一种特殊类型的等温线,反映的是无孔均匀固体表面多层吸附的结果(如洁净的金属或石墨表面)。实际固体表面大都是不均匀的,因此很难遇到这种情况。作者: 大花猫bb 时间: 2015-11-15 12:17 标题: 【回复】