标题:
【求助】SiO2表面硅羟基问题
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作者:
uuooii
时间:
2015-12-14 11:04
标题:
【求助】SiO2表面硅羟基问题
stober法合成的SiO2微球,700℃下焙烧2h处理后,表面的硅羟基数量大概会减少多啊?有没有人做个这方面的考察,因为SiO2本身亲水,用红外的话,估计很难做出Si-OH峰来吧?
作者:
c86v
时间:
2015-12-14 11:04
检测SiO2表面的羟基最简单的方法就是红外。200°抽真空2h左右,建议使用DRIFTS,960cm-1处的峰即为硅羟基。
还有一种方法就是29Si固体核磁,检测Q3强度
你的材料经过700焙烧后,表面仍然存在部分硅羟基,但肯定低于500度处理的样品的硅羟基数量;如果想使其恢复的话,建议使用水蒸气处理
作者:
3.14
时间:
2015-12-14 11:04
红外可以做出Si-OH键的峰,有文献可查的!
作者:
misswu61
时间:
2015-12-14 11:05
硅羟基用红外是可以做出来的,但要预先抽真空处理。我做过这方面的实验,700度下焙烧羟基会烧掉不少。
作者:
uuooii
时间:
2015-12-14 11:05
QUOTE:
原帖由
misswu61
于 2015-12-14 11:05 发表
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硅羟基用红外是可以做出来的,但要预先抽真空处理。我做过这方面的实验,700度下焙烧羟基会烧掉不少。
问题是这样的,我这个材料需要焙烧,如果不用焙烧的话,强度达不到,温度就在700,500℃的话强度就不行了。那如果焙烧后,有什么方法可以让羟基回来一些,但是又不影响强度?水热处理可以吗?
作者:
bojitu
时间:
2015-12-14 11:05
700度焙烧后还是有羟基存在的,只是没有500度焙烧的羟基多,水热处理可以恢复部分羟基。你需要很多硅羟基吗?700度焙烧不能烧掉所有羟基的。
作者:
uuooii
时间:
2015-12-14 11:07
测试热重.控制升温速度
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热重当然也是一种方法,只是我没有做过。热重损失掉的重量就是羟基的量吗,有没有可能是SiO2本身吸水,热重的时候也会有表面。那热重的时候肯定就需要预处理对吧?
作者:
glass
时间:
2015-12-14 11:07
热重当然也是一种方法,只是我没有做过。热重损失掉的重量就是羟基的量吗,有没有可能是SiO2本身吸水,热重的时候也会有表面。那热重的时候肯定就需要预处理对吧?...
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热重测试损失掉的会有SiO2本身吸附的水份,我之前做过SBA-15的热重表征,SBA-15就是由无定形SiO2组成的!200度以下的失重一般都归属为是游离水和结合水的失重。。还是建议用红外把、、、不过我没在那么高温度下焙烧过。。不知道焙烧后还能不能测出硅羟基的吸收峰、、、
作者:
vera+
时间:
2015-12-14 11:08
热重可通过升温速率控制,1/min
失去表面羟基温度大约在240~310之间,温度再高就会出现晶格改变了
作者:
uuooii
时间:
2015-12-14 11:08
QUOTE:
原帖由
vera+
于 2015-12-14 11:08 发表
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热重可通过升温速率控制,1/min
失去表面羟基温度大约在240~310之间,温度再高就会出现晶格改变了
今天仔细看了下这方面的文献,好像在400℃之前的脱水都是可以恢复的,而400℃之后的羟基脱水则是部分可恢复,温度越高,可恢复的部分就越少。不定形的SiO2出现晶格变化的温度应该不止这么低吧,SiO2的晶体那就是石英了。
作者:
阳光树
时间:
2015-12-14 11:09
检测SiO2表面的羟基最简单的方法就是红外。200°抽真空2h左右,建议使用DRIFTS,960cm-1处的峰即为硅羟基。
还有一种方法就是29Si固体核磁,检测Q3强度
你的材料经过700焙烧后,表面仍然存在部分硅羟基,但肯定低 ...
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您好 请帮忙分析下 谢谢 如何恢复硅羟基的峰
图片附件:
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(2015-12-14 11:09, 34.34 KB) / 该附件被下载次数 33
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