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标题: 【转载】【求助】新手请教探测器分辨率问题!谢谢! [打印本页]

作者: 坚持2011    时间: 2015-12-25 09:13     标题: 【转载】【求助】新手请教探测器分辨率问题!谢谢!

看书时有几句话不理解。
        1,为什么探测器面积愈小,分辨率愈好?
        2,面积固定情况下,时间常数增加,光子测量量得更准,相应的分辨率也更好,为什么?
        求高手指点下!
        不胜感激!
作者: 铃儿响叮当    时间: 2015-12-25 09:14

这好象有数学模型吧
作者: 小红    时间: 2015-12-25 09:16

说得更具体点嘛……
作者: 小黄    时间: 2015-12-25 09:19     标题: 回复 #1 坚持2011 的帖子

1,没有探测器面积越小,分辨率越好的说法,在探测器里Si-pin的探测器是这样,应该是面积大了工艺上的问题,在SDD探测器分辨率就和面积没有关系了,只能说探测器面积越大,需要制冷的面积就越大,需要的制冷电流就大,本身的发热量也比较高。
2,X荧光测试结果的波动大小和测试的记数率有关,记数率越高测试波动就越小,因为X荧光是单位时间内的随机触发时间,测试时间越长,统计涨落越小,测试结果更稳定,但是和分辨率没有关系。分辨率只和探头的种类和电路的参数设计有关。
不知道楼主看的那本书,能否介绍下。
作者: small2011    时间: 2015-12-25 09:20

针对能量Si-PIN探测器,探测器面积越小,谱峰成型时间越长,线形范围窄,分辨率越高。
能量分辨率与脉冲成型时间常数呈一种极小值曲线分布,故有时适当
选择稍大的脉冲成型时间常数,可有较高的能量分辨率。
作者: 铃儿响叮当    时间: 2015-12-25 09:21     标题: 回复 #1 坚持2011 的帖子

个人理解时间常数增加,则指数衰减越平缓,对于模拟多道来说更容易精确的找到峰值,而对于数字多道检测技术来说,梯形成型后,梯形的平顶部分更平滑,从而提高了检测精度,自然分辨率也会更好。当然为了得到更好的分辨率,在数字多道检测技术中可以选择增加梯形成型时间来实现,这样造成的后果就是死时间会急剧上升。
作者: small2011    时间: 2015-12-25 09:22     标题: 回复 #6 铃儿响叮当 的帖子

检测精度好,分辨率就好,可以这样理解不/?
作者: a456    时间: 2015-12-25 09:23     标题: 回复 #7 small2011 的帖子

影响分辨率的因素有很多,诸如探测器本身的理想分辨率,目前SSD探测器理论上能达到125ev,而Si-PIN只能达到145ev。
检测技术本身,抛开检测技术本身,其它相同条件下,数字多道相比模拟多道分辨率会好10%以上。
之前说到的检测精度仅仅是为了说明,梯形的平顶越光滑(平滑),则自然精度越高,相对来说分辨率也会稍好
作者: small2011    时间: 2015-12-25 09:23

其实这俩没有太多必然联系?(精密度和分辨率)
作者: 坚持2011    时间: 2015-12-25 09:24     标题: 回复 #2 铃儿响叮当 的帖子

能不能是说得更详细点?
作者: 坚持2011    时间: 2015-12-25 09:25     标题: 回复 #4 小黄 的帖子

吉昂 《X射线荧光光谱分析》,在第三章,P57,最下面一段讲的。
1.能不能讲下为什么Si-PIN探测器面接越小分辨率越好,现在还不能把分辨率和探测器面积联系起来。
2.能理解你说的测试结果的稳定性和测试时间的关系,但是说时间常数增加相应分辨率更好。
谢谢你!
作者: 坚持2011    时间: 2015-12-25 09:26

多谢大神啊!
作者: 坚持2011    时间: 2015-12-25 09:26

新手,对与  “ 探测器面积越小,谱峰成型时间越长,线形范围窄”的逻辑关系不能理解,版主能不能推荐些材料?谢谢!
作者: 坚持2011    时间: 2015-12-25 09:27     标题: 回复 #7 small2011 的帖子

影响分辨率的因素有很多,诸如探测器本身的理想分辨率,目前SSD探测器理论上能达到125ev,而Si-PIN只能达到145ev。
检测技术本身,抛开检测技术本身,其它相同条件下,数字多道相比模拟多道分辨率会好10%以上。
之前说到的检测精度仅仅是为了说明,梯形的平顶越光滑(平滑),则自然精度越高,相对来说分辨率也会稍好
作者: 小猫    时间: 2015-12-25 09:28

楼上请发表自己的观点啊……
作者: small2011    时间: 2015-12-25 09:28     标题: 回复 #14 坚持2011 的帖子

具体这些还是书上的,是否有人做这方面的研究,有这方面的实验数据。
作者: 但是    时间: 2015-12-25 09:29     标题: 回复 #16 small2011 的帖子

我说的这些都是建立在实验数据之上的。抛开理论值,其余的数据都是有实验数据支撑的。
作者: a456    时间: 2015-12-25 09:30     标题: 回复 #13 坚持2011 的帖子

X荧光成型时间越长,线形氛围越窄,是指成型时间长了,记数率会上不去,记数率太底对样品的分析有限制,比如说一个含铁50%和杂质的标样,如果记数率是1000,那么其中每秒产生500个记数,测试为10秒,总的记数就为5000个,如果说我的记数率是10000,那么每秒产生5000个,10秒后的总记数50000个,如果我们认为含量0的记数为0的话,那么记数率为1000的线形范围就窄了,有些含量根本没办法区分,做出来的曲线只有越陡,分析范围才会越广,我是那么认为的。请大家指教。
作者: 小猫    时间: 2015-12-25 09:31     标题: 回复 #18 a456 的帖子

其实也就是曲线作成后,如果可以通过原点,拟合系数越接近1,所作成的曲线方法就是更好的。
作者: small2011    时间: 2015-12-25 09:32     标题: 回复 #17 但是 的帖子

这类实验是如何做的?




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