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标题: 【求助】有人做过过氨气的紫外吸收光谱吗 [打印本页]

作者: QQ爱 时间: 2016-1-23 10:51 标题: 【求助】有人做过过氨气的紫外吸收光谱吗

有人做过过氨气的紫外吸收光谱吗？或者有人有相关资料吗？
我在文献上看到氨气在190-220nm范围内有吸收，而且有不止一个吸收峰。我不明白为什么会氨气的多个吸收峰？
另外查物质的吸收峰之类的一般在哪查啊？谢谢！

作者: 燕子@ 时间: 2016-1-23 10:51 标题: 【回复】

求高手解释下啊，。自己顶一下。文献上说有多个吸收峰，但是我想不通为什么啊。。。我现在传不了图片，，老出现什么安全错误。。。:cry:

作者: malong 时间: 2016-1-23 10:52 标题: 【回复】

是不是n-sigma*跃迁？可以参看氨的分子轨道能级图，再分析。。跃迁选律！

作者: 886爱 时间: 2016-1-23 10:52 标题: 【回复】

用紫外可见分光光度计测定固体光催化剂样品的紫外可见吸收光谱测定，两种方法哪个正确？
1) 首先测定漫反射R% 值，然后通过哪个一个公式换算成吸光度？
2）直接测定吸光度。
若1）正确，能否告诉一个正确的公式呢
我只直接测定的吸光度，感觉和文献有差不多。不知道为啥？
请指导啊！

作者: p1900 时间: 2016-1-23 10:53 标题: 【回复】

你的问题属于刚开始做这个领域的共同问题。
首先告诉你一个事实，很多做化学的是直接测吸光度的，而且有些是分散到一定的溶剂中做的。其实有些国外的也是直接测固体的吸光度，不过他的实验方法中依然写是通过漫反射得到的结果，这是学生偷懒的结果，教授也没办法。
学物理的通常是测漫反射谱，然后通过kubelka-Munk function转换（通常是计算机直接转换好的，手动的话，很复杂）。
其实这两个做法的结果中吸收带边（很陡的情况下）大约差20nm。
你可以用P25测一下。

作者: qinqinai 时间: 2016-1-23 10:53 标题: 【回复】

补充一点：
投物理类杂志，转换的结果可以接受。
投化学类杂志，两种都可以接受。

作者: 哈密瓜 时间: 2016-1-23 10:54 标题: 【回复】

直接测吸光度。你的ac曲线是可以的，b像误差太大导致的

作者: n111 时间: 2016-1-23 10:54 标题: 【回复】

光催化剂的光谱性能测试分为紫外可见漫反射光谱法和紫外可见漫反射吸收光谱两种。两种方法得到光谱都要通过Kublka-Munk方程拟合，来计算禁带宽度，表征不同样品的光谱性能。所以有两个方法，也是两个仪器，都是正确的，都可以算禁带宽度。漫反射也是换算成度后许的禁带宽度。
漫反射光谱要有积分球，积分球内表面的的漫反射物质的反射系数高达98%，使得光在积分球内的光损失接近零。光在积分球内经过多次漫反射后到达检测器，是分析样品内部分子发生作用以后的光，可以很好的表征光吸收性能，换算成吸光度，对于半导体这样的漫反射满足Kublka-Munk方程式：

另一种直接是测粉末吸收光谱的仪器，根据Kublka-Munk方程，作图求算禁带宽度

如下图，一般是两个图都要有的，这是一个漫反射的图，希望对你有帮助。

作者: xiaoxiaojinglin 时间: 2016-1-23 10:54 标题: 【回复】

这两个结果难倒不一样？

作者: QQ爱 时间: 2016-1-23 10:55 标题: 【回复】

朋友，你好，谢谢你的解答。对我帮助很大。
我们实验室有一台紫外可见，就像你说用积分球，我们直接测定固体样品的吸收度，和文献一致。现在有一个问题是，测定吸光度后，如果计算禁带宽度? 能否再详细解释一下呢？

作者: 妮子@ 时间: 2016-1-23 10:55 标题: 【回复】

吸光度的A，利用(Ahv)^1/2对hv做图，这个ORIGIN能做不同值的运算，你可以用1240/波长，这样就可以将横坐标转换成hv，对所得到的曲线沿着跃迁的斜线画一条切线，切线与横坐标的焦点就是带隙能了。如下图

作者: hcy517 时间: 2016-1-23 10:56 标题: 【回复】

ahv = A(hv–Eg)n/2
间接半导体：纵坐标为(ahv)^2，横坐标为hv
直接半导体：纵坐标为(ahv)^(1/2)，横坐标为hv
直接带隙半导体材料就是导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中同一位置。电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴（形成半满能带）只需要吸收能量。
间接带隙半导体材料导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中不同位置。形成半满能带不只需要吸收能量，还要改变动量。
二氧化钛是直接激发，是直接半导体，所以是1/2。所以要看什么物质，参考文献。

作者: 大花猫bb 时间: 2016-1-23 10:56 标题: 【回复】

您的贴图中所有的转换后的估计带隙均有问题。都忽略了一个问题，就是背底散射的影响，所以都应该扣掉背底以后再画直线估计带隙，所以你给的图中带隙基本没有变化，变化的只是背底而已（说实话背底是可以人为控制的）。所以这样的出带隙减小的结论，基本上是不对的。

作者: xgy412 时间: 2016-1-23 10:57 标题: 【回复】

物质的禁带宽度不是只能做物质的粉体的紫外可见漫反射图谱然后经过转换切线得到么？好像溶液或粉体的悬浊液应该属于紫外可见吸收光谱吧紫外可见吸收光谱只能获得物质在某一个或几个波段有吸收峰是不是做液态的紫外可见就不能获得物质的本征能带隙？我现在已经混淆了？求解答 :

作者: 灵魂 时间: 2016-1-23 10:57 标题: 【回复】

请问我有了固体紫外可见漫反射吸收谱，怎么处理数据才能得到（ahv）0.5对hv作图的谱呢？

作者: 大嘴猴 时间: 2016-1-23 10:58 标题: 【回复】

请问横坐标通过1240/波长这样处理，那纵坐标怎么处理啊？还是不用处理啊？

作者: 灵魂 时间: 2016-1-23 10:58 标题: 【求助】

请问你所指的背底是吸收边之后的谱线还不平么？这种高度不一致不见的就是背底的影响吧？有可能就是材料本身在此波长的吸收

作者: PP熊 时间: 2016-1-23 10:58 标题: 【回复】

都要变的啊，纵的就是A*1240/波长，开方或者平方。间接半导体为平方，直接半导体为开方。

作者: 8899 时间: 2016-1-23 10:59 标题: 【回复】

A就是原吸收谱的纵坐标是不？还一个问题，平方还是开方，像锐钛矿和金红石混相的材料是算间接半导体还是直接半导体呢？而且有篇文章对间接半导体却用的是开方。J. AM. CHEM. SOC. 9 VOL. 131, NO. 36, 2009 12869，截图见附件。J. Phys. Chem. C, Vol. 112, No. 3, 2008。能否加我qq交流，多谢，42971591

快照2.png

作者: huali 时间: 2016-1-23 10:59 标题: 【回复】

A就是吸收光谱，但不是反射的光谱，二氧化钛应该是间接的，其它的就不太清楚了，有的是两个都用了。

作者: 钻石 时间: 2016-1-23 10:59 标题: 【回复】

那这个间接半导体用平方，直接半导体用开方，这个规律有出处么，文献或者专业书之类的？我在一文献看到ahv = A(hv–Eg)n/2这个公式，间接半导体n=4，直接半导体n=1，按照这个推得话，好像作图规律和版主说的相反啊。

作者: yazi 时间: 2016-1-23 11:00 标题: 【回复】

好像锐钛矿是间接的，其它相是直接的

作者: 无怨无悔 时间: 2016-1-23 11:00 标题: 【回复】

哦，刚才说错了，二氧化钛都按直接半导体的吧。看41楼，至于各个相的是什么半导体还真不太清楚。

作者: PP熊 时间: 2016-1-23 11:01 标题: 【回复】

版主，之前我也问过这样的问题，你给我解答了一番。在这里谢谢你啊。。。。不过还是有些疑问，就是怎么确定切点呢？

作者: aaby 时间: 2016-1-23 11:01 标题: 【回复】

切点话要自己感觉吧，人为因素还是很大的，你多几个感觉一下，只能这样，做对比在一块画

作者: qinqinai 时间: 2016-1-23 11:01 标题: 【回复】

紫外-可见漫反射光谱与紫外-可见吸收光谱相比，所测样品的局限性要小很多。后
者符合朗伯-比尔定律，溶液必须是稀溶液才能测量，否则将破坏吸光度与浓度之间的
线性关系。而前者，紫外-可见漫反射光谱可以测浑浊溶液、悬浊溶液、固体及固体粉
末等，试样产生的漫反射满足 Kublka-Munk 方程式
其中，K为吸收系数，S为散射系数,R∞为无限厚样品反射系数R的极限值，其数值为一个常数。

作者: huali 时间: 2016-1-23 11:02 标题: 【回复】

Kublka-Munk 方程式:(1-R∞)^2/2R∞=K/S

作者: yuanyuan 时间: 2016-1-23 11:02 标题: 【回复】

Kublka-Munk 方程式
(1-R∞)^2/2R∞=K/S
K为吸收系数，S为散射系数,R∞为无限厚样品反射系数R的极限值，其数值为一个常数。

作者: jishiben 时间: 2016-1-23 11:03 标题: 【回复】

您好，请问您的这个问题解答没？我现在也有相同的疑问，谢谢！

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