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标题: 用CV方法沉积NiSe,沉积的电压区间应该设在多少合适？ [打印本页]

作者: 小书虫 时间: 2016-5-2 13:51 标题: 用CV方法沉积NiSe,沉积的电压区间应该设在多少合适？

用CV方法沉积NiSe,沉积的电压区间应该设在多少合适？扫速呢？怎么感觉沉积不上去呢！测了EDS，Se的含量很少，请明白的指导一下，谢谢

作者: outeer 时间: 2016-5-2 13:52

CV扫描速度太快了吧，，都没有反应峰出现

作者: 冰@舟 时间: 2016-5-2 13:58

扫速为5mv/s,为什么不会出现你说的反应峰啊？应该控制在多大扫速比较合适啊？

作者: XXXX111 时间: 2016-5-2 14:04

那就降速，直到明显的峰处理

作者: XXXX111 时间: 2016-5-2 14:04

你的沉积电位是多少？没有明显的峰啊

作者: 差不多先生 时间: 2016-5-2 14:10 标题: 回复 #5 XXXX111 的帖子

我的是1.2v~0.2v 谁知道能帮忙回答一下~

作者: 差不多先生 时间: 2016-5-2 14:10

我之前做过Ni沉积的也没明显的峰只是曲线明显上升，你这个你自己都是检测到的量比较少，是不是你的沉积体系的问题呢，电沉积一般扫速20mv/s 区域一般不要超过-1.0v 不然会有氢气

作者: 差不多先生 时间: 2016-5-2 14:10

请问您用多大的电极片，怎么固定电极的，能晒个实验装置照片吗，学习下

作者: 孤独的渔夫 时间: 2016-5-2 14:16

可是沉积上的Se很少啊！对啊，降低扫速也没见明显的峰

作者: 孤独的渔夫 时间: 2016-5-2 14:16

就是镍网，10×15毫米的，和正常超电测试一样

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