光谱分析

RT.另外，ID/IG的强度比怎么计算啊。希望大家给予帮助，谢谢！

化学方法合成的不可能单用拉曼光谱判断层数，cvd生长的不是ab stacking，reduced graphene oxide有大量缺陷，2d峰已经变样，dg强度比也不行，因为多少层那个强度比都差不多。目前能用拉曼判断层数的只有对AB stacking的有效，因为用的是interlayer interaction导致的能带在k点附近随层数变化而变化，从而导致2d峰的形状和半峰宽对层数dependent，但此方法能判断的层数不超过5层，详情见ferrari教授06年的prl和shen zexiang教授07年的nano letters。这里强调一下shen教授那篇nano lett介绍了一种可见光范围的contrast光谱，该方法比raman判断层数更有效果，第一，可以扩展到大约7，8层都准，第二，对非AB stacking的也有效果，如cvd生长的，第三，该方法对于有缺陷的few layer graphene oxide在300纳米氧化硅上仍然有效。这三点比普通拉曼更强已经公认的了。Ferrari是剑桥教授，Shen zexiang是新加坡南洋理工教授，google他们名字就可以找到他们的group website了。具体还有什么问题可以联系我。

有文献报道用拉曼来表征石墨烯层数，但是不是化学还原的

用ORIGIN 积分，峰面积之比

应该是峰面积之比，峰宽也是有影响的

1.算层数目前来说，理论和实验文章一般是用的剥离法值得的石墨烯；化学还原制备得到的石墨烯结晶性较差，因此对2D峰有影响；如果是单层的就好说了，比G峰高很多，就可以认为是单层的，层数多了，就不好说清楚了。
2.ID/IG一般来说指的是面积比，但是用高度比的非常多，完全可以，省事。各个峰的面积可以拟合峰之后得到，这样算面积比比较容易。

看这篇文献吧Raman spectroscopy in graphene，上面有。

，想请教一下电化学还原的氧化石墨烯没有峰是怎么回事？如何解释？

电化学还原的graphene oxide的raman D和G峰肯定明显，它们和没还原的graphene oxide以及热还原grapheme oxide差不多。两个典型的峰D and G非常明显，形状和DG比无明显区别。而2500到3000之间的2D以及D+G峰则强度相对D和G较弱，尽管这两个峰较弱，但其相对比例大小却比DG比更容易判断其还原效果。详情可以看这篇文章:Electronic structure of graphite oxide and thermally reduced graphite oxide. Carbon, 49, 1362, 2011.