光谱分析

1、用gaussian计算激发态的时候nstates和root都是默认的，后来我优化激发态构型，然后再次做TD计算发射光谱也都是默认的态，实际上我想要观察的是Excited State 3的变化，请问有没有指定Excited State3得出的结果会不一样吗？比如优化激发态构型得到的稳定构型会不一样吗？

2、我主要是想计算发射光谱。见论坛有人提到，在对激发态构型进行优化时，第一个循环给出的激发能就是吸收谱，最后一步给出的激发能就是荧光谱。我想问下这里说的吸收谱是指紫外吸收光谱吗？荧光谱是指荧光吸收谱吗？

3、我开始计算物质A，能正常结束。
计算A与B的复合物的时候（物质A是笼型的，然后物质B是个小分子，进到笼内被吸附），结构优化正常，无虚频，但是计算激发态的时候报错了，重新调整了结构，优化了再计算激发态，还是收敛失败。
输入文件是：
# opt td b3lyp/6-31g(d,p) geom=connectivity
报错信息是：
>>>>>>>>>> Convergence criterion not met.
SCF Done:  E(RB3LYP) =  -4648.00956095     A.U. after  129 cycles
             Convg  =    0.1628D-05             -V/T =  2.0075
Convergence failure -- run terminated.
Error termination via Lnk1e in /home/soft/g09/l502.exe at Sun Mar 27 13:08:44 2011.
是不是不能计算2个分子也就是复合物的激发态啊？
希望各位高手能帮个忙~谢谢~

1、优化基态构型，#P opt freq b3lyp/6-31g(d,p) geom=connectivity
2、TD单点，得到吸收谱(#P td(NStates=6) b3lyp/6-31g(d,p) geom=connectivity)
之所以要算这一步是为了要确定计算出来的哪个激发态是你需要优化的
3、以基态结构为初始结构用TD优化激发态结构，这个过程中将会计算很多步垂直激发能，其中第一步所给出的垂直激发态能将和上一步的TD单点给出的完全相同，即吸收谱，而最后一步给出的则是荧光谱。（#P Opt td(NStates=6,root=3) b3lyp/6-31g(d,p) geom=connectivity)

TD激发态优化过程中每一步都要对所得到的结构进行垂直激发能的计算的，优化的最后一步不就是在激发态结构上做垂直激发能计算吗？为何还要再单独算一步（当然你可以再算一步，但是这一步的结果和优化最后一步的结果是完全一致的，你可以测试一下）


每个激发态对应的轨道跃迁、跃迁偶极距以及谐振强度都是不一样的，假如你计算得到的第一个或者前几个激发态的谐振强度都是0，也就说这些态是暗态，而对应的吸收谱的跃迁则是第二或者更高的激发态，那么这时候你就要根据计算结果和你所关注的问题来选择你要优化的是那个激发态了。


总之就是具体问题具体分析，有些基础概念一定要搞清楚，最重要的不是明白怎么算，而是要明白为什么要这么算？

一，结构不会有什么差别，差不多
二，吸收光谱是指紫外吸收光谱，发射光谱是指荧光发射，荧光是以辐射失活过程，你什么时候看过有荧光吸收？
三，复合物分子间会有成键吗？我也没做过这类的。