小中大关于激发态优化及发射光谱的计算
有3个问题想问下各位。
1、用gaussian计算激发态的时候nstates和root都是默认的,后来我优化激发态构型,然后再次做TD计算发射光谱也都是默认的态,实际上我想要观察的是Excited State 3的变化,请问有没有指定Excited State3得出的结果会不一样吗?比如优化激发态构型得到的稳定构型会不一样吗?
2、我主要是想计算发射光谱。见论坛有人提到,在对激发态构型进行优化时,第一个循环给出的激发能就是吸收谱,最后一步给出的激发能就是荧光谱。我想问下这里说的吸收谱是指紫外吸收光谱吗?荧光谱是指荧光吸收谱吗?
3、我开始计算物质A,能正常结束。
计算A与B的复合物的时候(物质A是笼型的,然后物质B是个小分子,进到笼内被吸附),结构优化正常,无虚频,但是计算激发态的时候报错了,重新调整了结构,优化了再计算激发态,还是收敛失败。
输入文件是:
# opt td b3lyp/6-31g(d,p) geom=connectivity
报错信息是:
>>>>>>>>>> Convergence criterion not met.
SCF Done: E(RB3LYP) = -4648.00956095 A.U. after 129 cycles
Convg = 0.1628D-05 -V/T = 2.0075
Convergence failure -- run terminated.
Error termination via Lnk1e in /home/soft/g09/l502.exe at Sun Mar 27 13:08:44 2011.
是不是不能计算2个分子也就是复合物的激发态啊?
希望各位高手能帮个忙~谢谢~