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还有一种叫作:源内CID
在串联质谱还不普及的三年前,很多人夸大单级质谱的作用,比如:单级四极杆、LC-TOF、MALDI-TOF,说,液质你不是只看到分子离子峰么?你不是需要更多的碎片信息么?这里,我就可以做CID(其实是源内CID),给你想要的碎片。然后,他就拿一张标样的图,给你show一下,显示低电压时是分子离子峰,提高skimmer或orifice电压后,就可以得到碎片峰。
后来,人们在真正实验中,认识到我们其实不是在做标样,液质的基质干扰和溶剂本底干扰很大,如果不分离出要的离子,直接作CID,会给出一系列不能解释的峰。
所以,现在大家都喜欢LCMSMS了。
在串联四极杆中,源内CID指在离子源内加一定的电压(Source CID),对化合物的离子化进行优化,可减弱溶剂加合离子的影响。
对于Thermo的TSQ仪器,Source CID建议设置在8-12之间,此外加不加Source CID对信号影响应在20%左右,否则可能是仪器出现问题的征兆。
源内CID不能取代LC-MS-MS(即真正的CID或CAD)