小中大关于FIB的问题
我们做的是CVD生长的微米级陶瓷膜，要用TEM观察生长层和基底的界面结构，之前一直在用常规方法制备样品，对粘，包埋，粗磨，冲片，细磨，凹坑，减薄，此方面的经验已有不少，但由于gatan pips 691 减薄时不能精确定位，以及电压、束流、角度等参数变化的影响，最终不容易得到特别好的界面薄区，因此界面信息一直不理想。所以，想咨询一下，这种生长陶瓷膜的界面样品制备，FIB是不是更合适？因为本校没有，也未接触过，所以想请教高人，具体的问题如下：
1 进行FIB操作，对样品有什么特定要求，形状也是3mm吧，厚度有什么要求？是不是也像进行离子减薄前一样，需要细磨到30微米左右？
2 FIB减薄样品需注意的问题主要是什么？做常规界面TEM的朋友应该知道，整个过程是个耐心活儿，有一些小细节需要注意。不知道FIB需要注意哪些主要事项。
3 减薄的成功率怎么样？如果能精确定位，是不是进行FIB的试样通通都能够减成功？
4 国内哪些单位可以做，或者哪些单位的FIB用的比较多？
以上问题，请高人赐教，如果哪位朋友直接能够负责操作，能站内留下联系方式。谢谢了
