扫描电镜之家

不同样品不同处理。断口样品不能洗；金相样品，腐蚀后，不能不洗。

一般不洗，黑的地方可能是位置较低或导电性相对较好，但SEM是很粗浅的手段，主要得到形貌的信息。

扫描电镜样品不用洗。

1，quote：“大家做SEM的时候要不要洗一下啊”

由于SEM就是要观察表面、界面或者截面的结构，所以一般都要清洗。就提问者的具体情况而言，对于无机材料的非原位表征，很容易在表面留有油脂和吸附的气体（一般为空气），
我们最简单的清洁步骤如下：
首先通过乙醇和丙酮浸泡2～3次，时间由具体情况决定――除去吸附的有机质；
然后浸泡在去离子水或者蒸馏水（由是否考虑到要中和表面净电荷选择）中超声清洗，时间不少于10分钟――清洗残留乙醇和丙酮；
最后在烘干箱中烘干，时间一般不少于8小时，再降温至室温――除去吸附气体。
在运送样品去检测的过程中，尽量密封包装，以免再次污染样品表面。

2，quote：“这两张是我用洗了的跟没洗的样品做的。。”

两张电镜照片标为清洗过和未清洗，我不知是清洗的样品界面还是生长材料前清洗的衬底表面。
如果是关于是否清洗材料界面的话，两张样品的照片清晰度的差异应该和是否清洗无关，而应该和选择的点位有关。
如果是关于是否清洗衬底表面的话，通过这种条件的SEM照片很难区别生长材料的优劣问题，建议使用XRD来分析一下结构的严整性，如果条件具备的话，最好原位使用RHEED来观察整个薄膜生长的过程。

3，quote：“还有一个问题就是样品与衬底的那条黑线。。按比例看应该有170nm。。是由于界面的差异产生的呢 还是因为有其他相得生成啊?”
如果硅衬底用的是单晶硅，而提问者欲生长非晶材料的薄膜，一般在二者界面处要有一定厚度的buffer层的，在生长材料的过程中释放应力。
而要确切查明这条“黑线”的来历，还需要其它实验相关的佐证信息：用什么方法生长的材料；衬底是否清洗；用什么方法做的截面；截材料的时候是否考虑了衬底的晶向；非晶膜是什么材料。

4，quote：“但是EDS显示有少量的O元素”

请问氧元素的价态是多少？，这不排除原因来自未清洁衬底表面的空气吸附。
当然，如果要确定“黑线”是否来自SiO2，可以对准这个黑线的部分，做一个XPS的能谱分析和XRD表征，即可得到证据。

扫面电镜主要表征材料的微观形貌，经过清洗后有可能会破坏材料形貌和元素成份，没有特别要求最好不要清洗。比较稳妥的做法是先做完SEM后再清洗，然后再做一次，如果是纳米微结构，估计前后的SEM表征结果会相差很大。

想洗掉什么？

sem的图片我看了一下，样品要不要洗应该根据样品制备的方法条件加以区分，如果样品在制备的过程中放入了其他化合物，就应当要清洗。如果样品是纯净的也就不用洗了。

sem中的另外一个问题就是黑线，从我的角度看，我认为黑线是样品和Si之间的间隙，而不是SiO2.可以将在放大的倍率下看一看就知道了。

SEM样品在清洗过程中容易产生污染，薄膜样品无清洗必要。SEM观察材料断口时，可以适当进行清洗。

如果样品在洗时不会污染，不会改变样品的表面性质，可以洗。若洗，最好用丙酮、高纯酒精在超声波里清洗。

不洗要具体分析。对一些表面可能污染，清洗又不影响表面组成形貌的样品应该清洗（如金相观察），而对一些干净的表面（如新生断口）则不必清洗。一些特殊样品表面也不能清洗（如观察摩擦表面）。有氧元素、硅衬底表面上有少量SiO2是可能的，但黑线不能认为是SiO2（没有那么大的衬度）。可能是衬底与沉积层断面不在同一平面或界面开裂。