小中大飞行时间二次离子质谱仪简介 技术指标：
Mass Resolution for low mass ion > 11.500M / ΔM for Si (28SiH+)
Mass Resolution for insulator > 10,000M / ΔM for PET (m/z 104amu)
Options C60 gun, cesium gun, oxygen gas gun, Hot/Cold stage, Transfer Vessel, 300mm stage, etc.
tof-sims谱峰也有一定的规律可循，如triton X-100一种清洗剂的商品名，在分析正离子谱图时候，往往会看到509，553，597，641，685，729，773等等，可以明显的看到，他们间隔44分子碎片，该碎片可能是c2h4o/co2/c2h6n/ch2no等，到底是哪一种呢?这时候我们要结合负离子谱图来解释，
我们知道质谱分析最重要的部分就是解析图谱，如何解析二次离子质谱呢?好像很困难，因为目前关于二次离子质谱的数据并不多。本人综合总结了培训过程中所学一点经验给大家分享;
1。二次离子质谱分为两种，一种动态二次离子质谱(DSIMS)，如CAMECA公司生产的IMS-xf系列，一种静态二次离子质谱(S-SIMS)，如ULVAC-PHI公司生产的nano-TOF系列。动态和静态区分的标准时入射离子的计量，当>10^12ions/cm^2称为动态-SIMS，小于这个数值，称为S-SIMS.动态-SIMS主要用作半导体器件痕量元素的深度分析，以及矿物用同位素定年。要求样品导电性要好，静态-sims主要用于表面成分分析，如有机物，无机物分析，且可以分析分子碎片，并可以使其成像(2D,3D)。
2。全部同位素解析，根据同为个数，和自然界的丰度，半段谱峰对应的元素，同时也可以考虑一般谱峰都是带一个电荷的离子，通过查元素周期表就可以确认他们存在与否。
附件资料下载：飞行时间二次离子质谱仪简介
[ 本帖最后由 amelican_beauty 于 2010-10-16 11:25 编辑 ]
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