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转载：飞行时间二次离子质谱仪应用I

　　半导体生产：

　　在晶圆的制备过程中，由于生产流程长，工序繁多，不可避免的会遇到污染，那么该如何分析检测这些濡染物呢?如何评价清洗工序的清洗的效果呢?可以考虑采用飞行时间-二次离子质谱仪来检测。

　　样品制备：

　　飞行时间-二次离子质谱仪作为一种表面分析工具，对样品制备要求非常严格。样品分析的表面绝对不能接触任何包装物，尤其是防静电袋，双面胶等等，这些都会对样品进行污染，常见的污染特征峰，防静电剂：阴离子：311，325，339等，对于双面胶其常见的污染物峰为(硅氧烷)：阳离子：28，43，73，143，281 等等，另外，样品也不能在空气或者办公室内放置过长时间，要不同样会测到大量污染物，而测不到污染物下面的成分，因为，其分析深度只有3~6nm。例如,在晶圆的表面上永远都可以测到大量的CH峰，其本质原因就是生产工艺或者空气中的CH化合物吸附在其表面。众所周知，其分析的检测限为ppm~ppb，相当高。所以，样品制备要极其严格。

　　数据处理：

　　一般上分析过程中要考虑，组合峰的出现，比如我们在分析单晶硅得时候，样品表面会不可避免地出现(正离子)14，27，28，45，等等一系列的峰，首先要学会辨认他们。比如28，它可能是Si28，也可能是c2h428，如何区分他们，这就需要经验。

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