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标题:[未解决]关于碳化钨形成

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lucky[使用道具]
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关于碳化钨形成

在Si基底上预溅了一层W,然后在W层上面沉积了一层碳纳米管薄膜,经700~900度,1~2h真空退火后,仍然没有检出有碳化物(WC、W2C)形成。

请问退火温度和时间应该在多少才能让碳纳米管中的C和底下的W层形成碳化钨呢?
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加盐的咖啡[使用道具]
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你提高温度。做个实验啊。
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真善美[使用道具]
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这问题你得去找相关文献看了......
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nini[使用道具]
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正常WC的形成温度应该在1300~1400度左右
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按你们现有的处理温度,在处理前应该将W粉进行球磨活化(需要研磨约50H)
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碳和铬要形成铬碳化物是要在多少温度下?
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化工之家[使用道具]
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温度太低了
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