电分析

使用的是电子级硅片（电阻率0.01~0.02，以及1~10欧姆厘米，都有一样的现象），在硅背面焊铟（或涂铟镓，一样出现相同现象），刻蚀硅片成黑硅，放入0.5 M Na2SO4 (或 NaOH)水溶液，白光照射下
按理说这种现象可以解释为光电极的电容充放电现象，给光照时，产生正向电流；停止光照时，负向电流。
可这个脉冲（电容）产生的电流感觉太大了，做光电化学的、帮讨论下啊，是什么原因造成的，如何减小这种脉冲电流（希望给光照后，能产生一个比较稳定的大光电流）。 本人以前在另外一个地方用另外一套光电化学系统时，这个光照开始与结束时的脉冲电流没这么明显的。
这个问题困扰我好几个月了，还请大家多多谈谈意见与提出宝贵意见。

这跟电容的曲线有点像，也是在跳变点有尖峰

查一下PEC中的spike概念

spike好多文献都解释为界面电容。

这个现象在半导体与液体接触的方面很常见，基本解释时说，由于界面处电荷传输不好，在半导体表面出现了电荷堆积，从而引起的较大的复合电流。可以通过修饰界面消除。这个文献中很多的，可以自己查看查看

如果是界面处电荷传输不好，那我在溶液中加入空穴清除剂（如双氧水），半导体（n-type）表面的电荷应该就不会出现积累了，那就不再有spike了啊。可实验结果是，加入空穴清除剂后，一样有这些脉冲尖。
另外，请问你说的修饰界面有哪些？表面催化剂？
光电流开启对应的电势也偏大偏正，如何使其阴极移动。。。
文献上说的（有些虚，不具体），真得不如大家的经验之谈，还请多发表各位积累的意见

请问你的I-V曲线怎么测出来的啊，在高压下遮光后电流就是0吗？为什么我的随着电压增大，遮光后电流也是增大的啊，期待您的回复，非常感谢！