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单晶硅片参数
生长方法 直拉CZ
直径与公差 (mm) 150.0 ± 0.2
型号/掺杂剂 P型/硼
N型/磷、砷、锑
晶向 <100> / <111>
电阻率 (Ω.cm) 0.003-50
径向电阻率变化 (%) P< 6
N< 25
氧含量与公差 5.0-7.8 × ± 0.5
径向氧含量变化 (%) < 5
碳含量 (at ) ≤ 2.0×
金属铁含量 (at ) ≤ 1.0×
表面金属 (at) 铜 / 铬 / 铁 / 镍 ≤ 5.0×
铝 / 锌 / 钾 / 钠 / 钙 ≤ 2.0×
厚度 (微米) 按SEMI标准或用户要求
厚度公差 (微米) ±15或用户要求
总厚度变化 TTV (微米) < 2.5
平整度 TIR (微米) < 1.2
局部平整度 STIRmax (微米) < 0.3
翘曲度 (微米) < 30
颗粒 (# per wafer) < 30 (for size > 0.2 微米)
编号 规格
BZ3012 2英寸
BZ3013 3英寸
BZ3014 4英寸