检测SiO2表面的羟基最简单的方法就是红外。200°抽真空2h左右,建议使用DRIFTS,960cm-1处的峰即为硅羟基。
还有一种方法就是29Si固体核磁,检测Q3强度
你的材料经过700焙烧后,表面仍然存在部分硅羟基,但肯定低 ...

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您好 请帮忙分析下 谢谢 如何恢复硅羟基的峰


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2015-12-14 11:09
bw211h1287066_1449500166_401.jpg (34.34 KB)