小中大最近在看hirsch的薄晶电子显微学,看到设备这章,改变了我对污染的一些错误看法,在此和大家分享讨论一下
一直以来,我主观的认为污染是由于样品局部温度升高,导致在电子束轰击的地方造成碳的沉积而形成碳污染,电子轰击造成样品温度越高,则越加速样品的污染,而根据hirsch的分析则正好相反,样品本身温度越高,抗污染能力越强,而TEM样品在电子束轰击会发生污染时由于局部温度的升高造成样品温度的不均匀而在样品上空间形成正负压,c会在温度相对低的地方沉积,造成通常所说的碳污染
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感觉在高倍观察的时候 轰击哪个地方 哪个地方发黑 轰击的地方温度应该比周围高啊 还是有点不明白