ICP-MS

之前看到一个帖子，不过实在是忘记了。貌似是iCap-Q无需屏蔽炬也能实现屏蔽炬的能力了。

之前从7500到7700，屏蔽炬这个东西一直是A家的宣传点之一吧？不知现在7900是不是也是去掉这个东西了？

平衡式驱动，实际就是虚拟接地技术，通过施加相位差180度的两路射频，模拟等离子体接地。目的是减少锥口的二次放电，降低干扰。

安捷伦一直都使用专利的屏蔽矩技术，屏蔽矩实际与地相连，真实接地，也是消除二次放电。但相比虚拟接地，对离子能量的控制要好一些。

同时最初屏蔽矩的出现，与1994年安捷伦采用的冷等离子体模式也有关系，有它方便冷、热焰模式的切换。

还有一种叫交错线圈，是varian消二次放电技术，从Jena彩页上看可能接手后不再使用了

平衡式驱动貌似是和“变频等离子体电源”相关的吧？而屏蔽炬的存在就是因为固定频率下，线圈和ICP之间会有一个。。。。怎么说好呢？总之结果就是固定频率前提下，线圈之间会存在一个电压差，因此用屏蔽炬来达到消除电压差的目的。

但7900的宣传有点看不懂，耗材里面有屏蔽炬；宣传手册里面的“数字控制高速频率匹配”，这个看起来特别像变频等离子体的意思

迷惑了

消耗品手册里有这个货号，就代表它一定是耗材？

1、好吧，这个我没阐述清楚。其实我也没认为它是耗材，只是说如果是变频电源的话，那么应该是不需要屏蔽炬的。反之，如果有这个东西存在，那么是否可以证明依然需要匹配箱。

2、看过使用匹配箱的原理，大致就是需要一个电容来变换以匹配功率。但如果是变频电源的话，是通过电子电路来控制频率变换从而达到匹配的功效。换句话说，电子电路的变化明显要比机械式电容的变化要快得多。

个人的理解，如有误请指正。

你混淆了概念，所谓“变频”设计，如上面所讲是匹配样品基体变化，如从水相到有机相，等离子体负载是不一样的，所以RF发生器需要变频设计。

二次放电：等离子体本身是电中性，但由于接口锥接地，因此与锥的零电压相比，存在一定电位差，若不消除会产生放电现象，这并不是在线圈和ICP之间。

如果ICP与线圈之间放电，你的线圈早就打穿了，这也就是很多厂家采用虚拟接地，常出现的问题。

好吧，回头我再看看吧。做化学的看物理方面真心觉得吃力。谢谢了

所谓“变频”设计，如上面所讲是匹配样品基体变化，如从水相到有机相，等离子体负载是不一样的，所以RF发生器需要变频设计。

这点，说说我的理解：首先我知道从水相到有机相，等离子体的负载是不一样的，需要进行匹配。。。但匹配有两种方式可以完成：一种是RF频率发生变化——这个貌似就是Thermo的iCap-Q，这种方式无需匹配箱，同时是一种“平衡式驱动”；另外一种是频率固定，通过机械式的电容变动达到匹配的目的，需要匹配箱，同时是一种“非平衡式驱动”方式。

iCAP-Q 的射频频率是固定的，27.12MHz。若如它宣传的无需匹配箱，那可能是自激式设计，跟平衡驱动无半毛钱关系

timstoicpms 讲的很清楚了：

（2）高频匹配，应该是指 待测样品基体变化时，反射功率能快速匹配，而非 等离子体频率（27.12 MHz或者40.68 MHz）变化

ICP只有两个频率27.12和40.68MHz，是为避免干扰通讯，由国际电信联盟无线电咨询委员会分配，13.56*2=27.12，13.56*3=40.68

根本不存在所谓“动态频率匹配”，匹配只能是“反射功率”

这种厂家的宣传说辞，听听罢了，怎可轻信？

就我个人的理解就是等离子体的频率发生小范围的变动，从而达到匹配基体变化所带来的影响。

还是坐等厂家的攻城狮来讲解下硬件方面的东西把，天天刷水也好腻了