X射线多晶体衍射（XRD）

我用PLD在100的硅片上长多晶薄膜，之前硅片先清洁过然后送去测了个XRD，发现69的地方有一个400的峰，前面还有两个峰包，不知道是怎么回事，是二氧化硅还是什么。而且后面那个峰包前面有点高，是不是400的二次衍射峰后来在400度左右镀了一层硫化镉，硫化镉没有完全覆盖硅片表面，32那个峰包前面变高了，而且也找不到对应的硫化镉的线，不知道为什么这个衍射峰会加强，请大家帮忙解答下，谢谢我用PLD在100的硅片上长多晶薄膜，之前硅片先清洁过然后送去测了个XRD，发现69的地方有一个400的峰，前面还有两个峰包，不知道是怎么回事，是二氧化硅还是什么。而且后面那个峰包前面有点高，是不是400的二次衍射峰......

1、普通粉末XRD仪上观测到二次衍射的可能性不大，图1中的两个峰我认为是杂质。

2、图2中的两个新峰既然不是CdS，那么可能是S,Cd，Si的一元、其他二元或三元化合物。

膜有多厚？

大概500nm厚吧，第二个图，硫化镉只覆盖了1/4的样子

如果为了增加导电性而掺杂，有没有可能测得出啊



第二个图，

新出的第一个峰，26.6左右，查PDF的话可能是硅片的（200），也可能是硫化镉立方的（111），或者硫化镉六角的（100），联系后面两个矮峰，应该是六角的（100），

第二个峰貌在第一张图上已经初露了，会不会是受了加热的影响，结晶性更好了，所以是（400）的二次衍射啊，在网上也看到别人的硅片上出现的这个峰，底下有人说是二次衍射峰