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标题:[未解决]用CV方法沉积NiSe,沉积的电压区间应该设在多少合适?

  [未解决]本主题悬赏 可用分 1  
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用CV方法沉积NiSe,沉积的电压区间应该设在多少合适?

用CV方法沉积NiSe,沉积的电压区间应该设在多少合适?扫速呢?  怎么感觉沉积不上去呢!测了EDS,Se的含量很少,请明白的指导一下,谢谢
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outeer[使用道具]
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CV扫描速度太快了吧,,都没有反应峰出现
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冰@舟[使用道具]
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扫速为5mv/s,为什么不会出现你说的反应峰啊?应该控制在多大扫速比较合适啊?
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XXXX111[使用道具]
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那就降速,直到明显的峰处理
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XXXX111[使用道具]
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你的沉积电位是多少 ?没有明显的峰 啊
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差不多先生[使用道具]
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回复 #5 XXXX111 的帖子

我的是1.2v~0.2v  谁知道能帮忙回答一下~
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差不多先生[使用道具]
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我之前做过Ni沉积的  也没明显的峰   只是曲线明显上升,你这个你自己都是检测到的量比较少,是不是你的沉积体系的问题呢,电沉积一般扫速20mv/s  区域一般不要超过-1.0v 不然会有氢气
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差不多先生[使用道具]
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请问您用多大的电极片,怎么固定电极的,能晒个实验装置照片吗,学习下
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孤独的渔夫[使用道具]
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可是沉积上的Se很少啊!对啊,降低扫速也没见明显的峰
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孤独的渔夫[使用道具]
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就是镍网,10×15毫米的,和正常超电测试一样
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