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GaN光电阴极激活后的光谱响应分析

由于GaN光电阴极的突出性能，其在紫外探测方面有着广泛的应用。文章在超高真空激活系统中，对GaN样品进行了Cs/O激活实验，并分析了激活后反射式的量子效率：在240～350 nm的紫外波段内，量子效率约在30%～10%之间，曲线较为平坦，在240 nm处达到30%的最大值，与国外结果对比后发现，本文获得的GaN光电阴极量子效率在短波段尚有不足。研究了GaN(0001)表面的原子排列，利用3D模拟了表面原子排列模型，并推测了Cs在其表面的吸附情况。