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【求助】阳极伏安法测试汞离子
欲仿照一篇文献用阳极伏安法测试汞离子。文献如下:请问:【求助】阳极伏安法测试汞离子
1.在汞离子溶液中吸附了2h后,在0.1M的HCl中在-0.1V极化10s的目的是什么,为什么不直接测啊?
2.谁用过CHI740D电化学工作站?怎么设置这些条件呢?我只找到了square wave voltammetric 的选项,在system里有这些选项:Init E(V) ,Final E(V) ,Incr E(V) ,Amplitude(V) ,Frequency(Hz) ,Quiet time(Sec) ,Senstivity(A/V).在control菜单中找到Stripping mode选项,见下图。
本人对电化学所知甚少,求电化学高人指点,解释得越详细越好!
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最新回复
8899 (2015-4-13 14:19:33)
双子座 (2015-4-13 14:20:13)
deposition:Hg2++e=Hg, stripping:Hg-e=Hg2+.就是沉积的时候金属离子还原成金属,富集在电极表面,溶出的时候在电极表面的金属氧化生成金属离子。富集的时候你也可以选择I-T来进行富集。溶出的时候你也可以选择DPV,你都可以尝试
aaby (2015-4-13 14:20:53)
wwwh (2015-4-13 14:21:32)
PP熊 (2015-4-13 14:22:16)
你这种描述应该不算是传统意义上的阳极溶出伏安法,应该叫开路富集。阳极溶出伏安法指的是先用阳极氧化的方法对样品富集,做的过程中要施加氧化电位,就是对样品氧化的过程,然后再溶出,进行反向扫描。在0.1M的HCl中在-0.1V极化10s的目的是为了使样品更好的溶出。有时候对溶出时间也要优化的。溶出后再用方波或差分就可以测定了,如果同时测定的话建议用差分脉冲,那样分离的效果更好。
2.谁用过CHI740D电化学工作站?
直接先用I-T,再用上述方法就可以了。
祝好运!
hcy517 (2015-4-13 14:22:58)
yuanyuan (2015-4-13 14:23:37)
兔子 (2015-4-13 14:24:26)
【求助】阳极伏安法测试汞离子