【求助】请教一下我的M-S图为何会出现一个峰

最新回复

• 燕子@ (2015-6-26 13:06:30)

  对曲线最长线性对作切线，切线斜率为正时，表明半导体为N-type,如果切线斜率为负值，则半导体为p-type.

• 小妖精@ (2015-6-26 13:06:58)

  您好，那么最开始斜率为正的那段曲线需要解释吗？ 这样做的原理是什么呢

• 小女人@ (2015-6-26 13:07:26)

  不需要解释开始端曲线，M-S原理你可以在半导体物理，半导体电化学以及很多金属氧化物的半导体的文章中找到，主要是通过外加电压使半导体空间电荷层处于耗尽状态，测试空间电荷层的电容与外加电压的关系，由M-S曲线的切线的斜率，根据Mott-Schottky方程计算载流子浓度，切线在横坐标上的截距可得到平带电位。看看资料搞懂原理再做吧。

• mimima (2015-6-26 13:08:09)

  谢谢您的回复，相关原理稍微了解了一下。有个疑问就是如果所测粉末形成了p-n结那么测试出来的M-S曲线应该是倒V型？既然这样的话我如何判断我测试出来的是单纯的p型还是形成了p-n结呢

• p1900 (2015-6-26 13:08:46)

  原理上，P-N结与Schottky结是不同的，但在实际例子中也有混在一起，你可以看看双极性半导体半导体膜的特征，在较宽的电压范围内M-S曲线会出现P和N型特征。文章：双极性半导体钝化膜空间电荷电容分析（

• 冰激凌 (2015-6-26 13:09:17)

  ，由于不同条件制备的PN结结构存在很大差异，经常p-n结的M-S曲线也只表现出单一的特性，这时，一般需要做电流-电压曲线（J-V test)来帮助确定是否有PN结存在。

• QQ爱 (2015-6-26 13:09:48)

  楼上说的很清楚很明白，我也受教了~你的M-S曲线一开始出现正的斜率后来是负的斜率，我在一篇文献中看到过，他对两个线性区域的解释是存在由于能带弯曲造成的耗尽层。我做出的曲线是单调的，因此没有深究。。。但是仅仅考察平带电位和掺杂浓度的话，直接利用负斜率（p型半导体）线性部分的截距和斜率就可以得出。这是那篇文献