【求助】EIS电容是利用公式-1/2πfZ'm求得

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• QQ爱 (2015-10-02 15:34:00)

  首先，EIS全谱扫描。根据全谱来判定你的体系含有什么样的一个等效电路。
  如果是一个明显半圆加一条斜线。这个是经典的（cpe）（RWo）电路。也就是说这个体系除了纯电阻还要串一个并联电路，并联电路的一支是CPE，另一支是RWo串联。
  这样的电路已经不是纯电容的电路了。
  也就是说你在半圆后的实部虚部是rWo串联电路，另一支的电容因为低频已经是断路了。
  高频通，低频断，电容的特性这个应该可以理解吧。
  所以当频率太低时，电容是可以被看成断路的。这个时候的虚部来计算电容值，不可行。
  这就是为什么很多EIS或者用单点频率求电容时一般不小于100Hz。特别的，为什么物化实验里测溶液电导时有个问答题，为什么频率太高或者太低都不好，而选用1000hz的频率。就是这个原因。特别高的频率比如100000hz，这里只有纯电阻。因为电容可以通高频，高频穿过去了。也就是被短路了。所以整个等效电路只有最前面的Rs。
  这些可以用公式表达。当你的频率是10万，或者很低0.1hz时，你看看那些公式，哪项是可以被忽略的。测得那就是那部分

• huali (2015-10-02 15:34:29)

  首先必须承认EIS做出的电容比较准确，但是它不是很容易做好和做漂亮。CV扫出来的曲线很容易偏离理想的矩形，里面很有可能包含法拉第电流。一般来说你用单点的频率算出电容是可以的，但是电极一般表面不均匀，电荷分布也不均匀，容易发生弥散效率，单点频率算出来的误差大，一般采用全频线性拟合算出电容。

• 燕子@ (2015-10-02 15:35:08)

  很多人说起EIS求电容的这个公式。
  只能说只有rc串联电路适用于此公式，因为rc串联电路的实部就是r。虚部是-1/wc。
  如果是其他电路，事实上不怎么适用，而且你用0.01hz来算，不合适。
  应该再100Hz以上的频率点来计算

• 8899 (2015-10-02 15:35:42)

  首先要确定你的实验体系，并不是所有的体系都能直接从阻抗的虚部直接求得电容，一般的传统求电容的方法和等效电路有关。
  用CV求电容，不知道你的扫描区间是在什么范围内，有没有法拉第反应的出现，如果有的话，CV是个连续过程，而阻抗的，你是用固定电位，然后扫频率的么？如果是的话，这是一个不连续的过程。
  这种方法求出的电容值，本身就会有不同的。
  而且，阻抗求电容，传统的讲法就有CPE的行为，就是电容离散。实际上它是阻抗测定过程中的伴随弊端，其中有内阻。
  
  不好意思罗列了很多，总的意思是，分析起来要看具体情况。

• danzi (2015-10-02 15:36:14)

  麻烦你问一下，为什么一定要选100 Hz 以上的频率点算电容呢？呵呵，请教一下~~~

• 跳跳哈里 (2015-10-02 15:36:53)

  不同的体系，算电容的时候频率要求不一样，你要先扫个全频，然后为了避免其他扩散或者吸附电阻选择合适的频率，有时1Hz以上。

• huali (2015-10-02 15:37:24)

  是不是可以说用阻抗那个公式算电容得是理想电容才行，像碳电极这种就有偏差

• yazi (2015-10-02 15:38:04)

  现实状况，很少有不夹杂其他过程的双电层充放电过程，比如说：吸附，法拉第过程等。如果等效电路选择不当，那么就没办法解释了。它就成了一个表观电容

• xiaoxiaojinglin (2015-10-02 15:38:37)

  那是不是就可以这么认为阻抗测出来的结果低一些啊