请问在液质联用仪中什么是锥孔电压???

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• shuzi (2007-11-07 09:26:14)

  我记得好像是这样：
  
  锥孔电压在离子源区，根据不同的仪器，可能还有好几个参数。一般系统有推荐值。
  
  1）在任何质谱中，增大锥孔电压，可以在离子源区获得更多的碎片。所以，常被人称为是：源内CID技术。因为液质是软电离技术，一般只有分子离子峰或+Na/+K等峰，没有碎片峰。
  
  在没有多级质谱之前，要获得更多的碎片，就进行源内CID，即提高锥孔电压。
  
  我记得很久以前，我们实验室只有一台API 165单级四极杆液质。做肽的指纹图谱，就做两个实验，一个是锥孔电压比较低，这时只获得分子离子峰，再加上电荷态信息，可以获知分子量。第二个实验就提高锥孔电压，获得比较多的碎片，就可以预知大概的序列信息。
  
  当然，这种方法在你有了串联质谱后，就没什么意思了。因为，源内CID无法区分混合物，背景基质的干扰会让谱图解析非常困难，可以说是吃力不讨好。串联质谱在第一个分析器内选择特定的母离子，排除了基质和共流出物的干扰，然后再碎裂。这样的方法现在才是正道。
  
  但无论如何，在特定的历史时期，源内CID技术毕竟发挥了作用，目前为止，在测定纯物质时，还是有效的。可以给出两个结果：分子离子峰和碎片峰。
  
  
  2）在多级质谱中，锥孔电压还有一个作用，就是加一点锥孔电压，可以去掉一些分子加合峰。
  
  
  至于岛津的，我记得是调节QArray上的某个电压。

• zhufangwei (2007-11-09 12:18:13)

  哦,谢谢,我们试验室的那个液质是热电的,Thermo Quantum access的,请问它上面有这个参数吗???谢谢

• masscharge (2007-11-21 01:06:27)

  有，就是Skimmer Offset。原来叫Source CID.

• joon (2008-5-16 10:13:38)

  AB的就是DP吗？？