. 图形化蓝宝石衬底上InGaN/GaN多量子阱发光二极管的光谱特性

运用电致发光(EL)和光致发光(PL)实验，分析了图形化蓝宝石衬底(PSSLEDs)和常规平面蓝宝石衬底(C-LEDs)InGaN/GaN多量子阱发光二极管的光谱特性。对比EL谱，发现PSSLEDs拥有更强的光功率和更窄的半峰宽(FWHM)，说明PSSLEDs具有较高的晶体质量。其次，PSSLEDs的EL谱半峰宽随电流增加出现了更快的展宽，而这两种LED样品的PL谱半峰宽随激光功率增加呈现了基本相同的展宽变化，说明在相同电流下，PSSLEDs量子阱中载流子浓度更高，能带填充效应更强。另外，随着电流的增加，PSSLEDs和C-LEDs的峰值波长都发生蓝移，且前者的蓝移程度较小，结合半峰宽的对比分析，说明PSSLEDs量子阱中的极化电场较小。最后，对比了PSSLEDs和C-LEDs的外量子效率随电流的变化，发现PSSLEDs拥有更严重的efficiency droop，说明量子阱中极化电场不是导致efficiency droop的主要原因。