Eu2+掺杂Sr2SiO4长余辉材料的热释光研究

采用高温固相法在弱还原的气氛下合成了Sr2SiO4高亮度的黄色长余辉材料。通过X射线衍射(XRD)分析发现所制得的样品属于α′-Sr2SiO4斜方晶系结构;样品的光致发光特性表明，在320 nm激发光的照射下，出现峰位为490 nm的宽带发射峰。样品余辉特性显示：样品的余辉衰减曲线符合双指数衰减。在温度293～598 K内样品有4个热释光峰，峰值温度在346, 420, 457和552 K附近。不同的等待时间热释光曲线表明：在衰减过程中，热释光峰位置发生移动，显示材料中存在缺陷能带;同时不同深度的陷阱能级衰减规律不同，表明了陷阱能级之间存在电子转移现象。